MOS-1型功率场效应管、IGBT管测试仪
一、主要技术性能
1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流：1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 / S 。
二、主要测试功能
1、场效应管击穿电压VDSS、开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT击穿电压V(BR)ces、开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试。
4、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。
5、压敏电阻电压的测试等。
86-571-87292965 13600537912 沈松涛
TY-1型场效应管、IGBT管通态特性测试仪
一、特 点
1、功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管等通态压降的测试。
2、大电流脉冲测试法，测试时温升很小，不会损坏被测器件。
3、电流的调节范围0-100.0A，通态电压测量范围不小于0-6V。
4、采用四端测量法,有效消除插座接触电阻所带来的测量误差。
二、测 量 范 围
1、可以测量100A范围内的N、P沟导场效应管RDS值 = VDS / ID。
2、可以测量100A范围内的IGBT及模块的饱和压降Vce(sat)。
3、可以测量100A范围内单、双向可控硅及模块的通态压降VTM值。
4、可以测量100A范围内的各种二极管的正向压降VF。
5、可以测量 0.001 - 1Ω 的低阻值无感电阻，Ω = V / A 。
6、可以测量继电器、接插件等触点的接触电阻，Ω = V / A 。
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