TY-1型功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管通态压降测试仪
前 言
● 有不少用户来电询问有没有一种可以直接测量功率场效应管、IGBT管、可控硅等器件判断“电流"大小的仪器?
其实器件通过电流的大小的能力是:
⑴、和器件芯片的面积成正比。即：芯片面积越大可以通过的电流就大，反之则小。
⑵、和器件导通时的压降成反比。即：通态压降越小的管子就可以承受更大的通态电流。
⑶、和器件的散热面积成正比。即:封装越大可承受的功耗和电流相对就大,反之则小。
● 这三个因素直接关系到器件输出电流能力的大小；由于芯片是封在器件里面的无法检测,设计产品时器件的型号
和封装及散热条件也已确定,所以我们只能通过测量器件在大电流时的通态压降来检验器件的质量好坏，为此我
们也必须要学会看器件的基本参数,在众多参数中我们更要知道和输出电流、输出功率有关的参数。
⑴、功率场效应管的内阻：Rds。如:（IRF3205在62A的条件下测试 Rds ≤0.008Ω）。
⑵、IGBT管的饱和压降：Vce(sat)。如:（H40T120在40A条件下测试 Vce(sat) ≤1.8V）。
⑶、单双向可控硅的通态压降：VTM。如:（BTA41在60A条件下测试 VTM ≤1.55V）。
⑷、二极管的正向压降：VF。
● 以上器件的参数都必须在大电流的条件下测试，才可以直接反映该器件通过电流的能力，再把压降乘以电流
即可算出导通时的功耗，但这个“大电流”又不能用平均值电流来测试，否则的话这些器件很容易在测试时
就烧毁了，根据国际惯例必须用脉冲测试法，为此我设计了这台通态压降测试仪，可以十分方便和准确的测
量上述各种参数，并以此来判断被测器件通过电流的能力和输出功率。
● 同一型号的器件即使是同一公司生产由于批次不一样参数也会有差别，不同公司生产的同一型号的器件其参
数有时会差别很大，更不用说那些假冒伪劣、更改型号、以假乱真的器件了；通过对器件大电流通态特性的
测试，可以完全掌握不同进货渠道的器件质量，以确保产品质量的稳定。
沈松涛
一、概 述
功率元器件通态压降的大小，直接关系到器件的输出功率和输出电流的能力、关系到器件工作时的温升及自身的功耗。
温升越高，器件的其它参数将急剧恶化，轻则降低寿命重则立即损坏，故通态压降是功率元器件（尤其工作在开关状态下）
一项十分重要的参数。
随着经济的发展，目前市场上各种伪劣器件也层出不穷。测量通态压降是检查器件质量的一项重要手段之一，能有效的
把伪劣的、不规范的器件区分出来。
二、特 点
1、本仪器主要用于功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管等器件在大电流条件下通态压降的测试。
2、仪器采用大电流脉冲测试法，测试时温升很小，不会对被测器件造成任何损坏。
3、测试电流的调节范围不小于0-100.0A，通态电压测量范围不小于0-6.00V,测量误差≤±5%。
4、采用两只LED数字表，直接显示被测器件的电流值和通态电压值。
5、采用四端测量法,有效的消除因插座接触电阻所带来的测量误差,可以准确的测量只有几个 m Ω 内阻的场效应管。
6、使用方便,测量一种型号的管子只需一次性调好通态电流,便可连续进行批量的测试。
7、仪器采用交流220V供电，外型美观、读数清析、操作简单、使用方便。
8、仪器主要用于功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管等的大电流通态质量检验之用。
三、测 量 范 围
1、可以测量100A范围内的N沟导和P沟导功率场效应管及模块的通态压降，其RDS值 = VDS / ID。
2、可以测量100A范围内的IGBT及模块的饱和压降，直接显示IC条件下的Vce(sat)。
3、可以测量100A范围内的单、双向可控硅及模块的通态压降，直接显示ITM条件下的VTM值。
4、可以测量100A范围内的普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管的正向压降，直接显示VF值。
5、可以测量 0.001 - 1Ω 的低阻值无感电阻，也可以测量导线电阻等，Ω = V / A 。
6、可以测量各类继电器、开关、插座、接插件等触点的接触电阻，Ω = V / A 。
7、附加一测试盒，可以方便的测试 TO-220、TO-3P、TO-247 等封装的器件。
8、配有专用的测试线也可以测量其它各种封装形式的器件(如模块等)。
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测试实例(表) IRF3205在62A电流时的测试照片 最大100A电流时的测试照片
|
型号
|
通态压降 V |
RDS Ω |
通态功耗 P |
RDS 测试电流 |
阻尼二极 管正向 压降V |
标称 电流 ID |
标称 功率 PD |
封装
|
|
|
IRF640
|
基本参数
|
≤0.15Ω
|
11A
|
18A
|
150W
|
TO-220
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
1.62V
|
0.147Ω
|
17.82 W
|
11A
|
0.91V
|
|||
|
IRF1010
|
基本参数
|
0.012Ω
|
50A
|
84A
|
200W
|
TO-220
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
0.41V
|
0.0082Ω
|
20.5 W
|
50A
|
0.88V
|
|||
|
IRF3205
|
基本参数
|
≤0.008Ω
|
62A
|
110A
|
200W
|
TO-220
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
0.49V
|
0.0079Ω
|
30.38 W
|
62A
|
0.90V
|
|||
|
FQP70N08
|
基本参数
|
≤0.014Ω
|
35A
|
70A
|
155W
|
TO-220
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
0.41V
|
0.0117Ω
|
14.35 W
|
35A
|
0.84V
|
|||
|
75NF75
|
基本参数
|
≤0.011Ω
|
40A
|
80A
|
300W
|
TO-220
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
0.37V
|
0.0093Ω
|
14.8 W
|
40A
|
0.86V
|
|||
|
IRFP064
|
基本参数
|
≤0.008Ω
|
59A
|
110A
|
200W
|
TO-3P
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
0.47V
|
0.0079Ω
|
27.73 W
|
59A
|
0.89V
|
|||
|
2SK1120
|
基本参数
|
≤1.8Ω
|
4A
|
8A
|
150W
|
TO-3P
|
|||
|
N 沟导
|
实测参数
|
5.66V
|
1.415Ω
|
22.64 W
|
4A
|
0.85V
|
|||
|
IRF4905
|
基本参数
|
≤0.02Ω
|
-38A
|
-74A
|
200W
|
TO-220
|
|||
|
P 沟导
|
实测参数
|
0.68V
|
0.018Ω
|
25.94 W
|
-38A
|
0.91V
|
|||
|
IRF9540
|
基本参数
|
≤0.2Ω
|
-11A
|
-19A
|
150W
|
TO-220
|
|||
|
P 沟导
|
实测参数
|
1.03V
|
0.094Ω
|
11.33 W
|
-11A
|
||||
|
G160N60
|
基本参数
|
≤2.6V
|
80A
|
160A
|
250W
|
TO-247
|
|||
|
IGBT
|
实测参数
|
1.8V
|
144 W
|
80A
|
0.87V
|
||||
|
H40T120
|
基本参数
|
1.8V
|
40A
|
75A
|
270W
|
TO-247
|
|||
|
IGBT
|
实测参数
|
1.79V
|
71.6 W
|
40A
|
2.26V
|
||||
|
60N170D
|
基本参数
|
≤6V
|
60A
|
60A
|
200W
|
TO-247
|
|||
|
IGBT
|
实测参数
|
4.25V
|
255 W
|
60A
|
1.97V
|
说明：1、RDS（Ω） = 通态压降（V）÷ 测试电流（A）
2、通态功耗 (P) = 通态压降（V）× 测试电流（A)
★ 以上是部分FET、IGBT管子的实测数据，不同的生产厂家其参数可能有较大差异，仅供参考。
★ 当测试出来的通态压降或计算出来的通态电阻大于基本参数时，该管子即为不合格品。
★ 通态功耗越大的管子其开关工作状态时发热量也越大，每一种型号的基本参数都可以从网上下载获得。
电话（传真）：0571-87292965 手机：13600537912
沈松涛
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