KC-2型可控硅测试仪

KC-2型可控硅测试仪

（全系列塑封可控硅、可控硅光耦测试仪）

　　这是一款我在2005年一月最新研究设计完成的实用型多功能单、双向可控硅和可控硅光电耦合器参数的

半自动测试装置，可以较准确的测量全系列塑封可控硅、DIP-6/4封装的各类可控硅光电耦合器、200A以下

的螺铨型单双向可控硅和各种封装的可控硅模块的基本参数，详细的介绍请看下面。

仪器操作简单、使用方便、读数直观、性能优越，需要者可与我联系。

(sst)沈松涛

电话（传真）：0571-87292965 。手机：13600537912

仪器主机

设计精美而又实用的测试盒

KC-2型可控硅测试仪简介

一、概述

　　KC-2型可控硅测试仪（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦测试仪），是2005年最新研究设计成功的

一种新颖的数字显示式多功能半自动可控硅和可控硅光电耦合器参数测试装置。

　　１、它可以测量小至TO-92封装大至TO-3P封装的各种电流等级的塑封单、双向可控硅（晶闸管）。

　　２、专门设计了0-1O00uA的触发电流量程，可以直接测量MCR100-6等微安级触发电流的可控硅。

　　３、可以测量DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控

硅输出的光电耦合器。

　　４、可以测量200A以下的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块。

　　５、测试触发电流和触发电压时无需人工调节，可控硅插入测试座后仪器会自动的调节至触发值，并稳

定的显示触发电流 IGT / 触发电压 VGT。

　　６、测试可控硅耐压参数时只需一次性调节好最高输出电压值，以后每测一个管子只要按下高压按钮即

可显示该可控硅的耐压值。

　　该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质量检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器

还可以广泛的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、使用安

全方便。

二、主要技术性能

　　1、可控硅触发电流IGT 测量范围： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　2、可控硅触发电压VGT测量范围： 0—5V，精度：≤5 % 。

　　3、可控硅光耦输入端LED触发电流IFT测量范围：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　4、可控硅光耦输入端LED触发电压VFT测量范围：0—3V 精度：≤5 % 。

　　5、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围： 0—2KV精度：≤3 % 。

　　6、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围： 0—1.6KV精度：≤5 % 。

三、主要测试功能

　　1、全系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM

的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。

　　2、DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的

光电耦合器输入LED端IFT / VFT的测试，输出端可控硅正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向

重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。

　　3、电流在200A以内，VDSM / VRSM在2KV以内，触发电流在120mA以内的螺铨型单、双向可控硅和可控硅

组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰

值电压VDRM / VRRM的测试。

　　4、2KV以内的各类二极管、三极管、达林顿管、整流桥、MOS场效应管、IGBT及各种模块的耐压测试。

　　5、2KV以内的压敏电阻、稳压管、双向触发二极管等电压值的测试。